·完成现有最高集成度的QLC产物开发，颠末客户验证后，规划在来岁上半年上市·经由过程扩展运用自力运行单元“plane”，同时实现了高容量及高机能，尤其合用在AI办事器的超高容量eSSD·“将扩展具备成本竞争力的高容量产物声势，以应答迅速增加的AI需乞降高机能要求”
2025年8月25日，SK海力士公布，已经开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC* NAND闪存产物，并最先量产。
SK海力士暗示：“公司全世界率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次冲破了技能极限。该产物于现有的NAND闪存产物中拥有最高的集成度，颠末全世界客户公司的验证后，规划在来岁上半年正式进入AI数据中央市场。”
公司为了最年夜限度地提高这次产物的成本竞争力，将其开发为与现有产物比拟容量翻倍的2Tb产物。
一般来讲，NAND闪存容量越年夜，单位中贮存的信息越多，而且存储器治理越繁杂，致使数据处置惩罚速率就越慢。为此，公司经由过程将NAND闪存内部可自力运行的平面*（Plane）架构从四平面扩大为六平面，从而晋升了并行处置惩罚能力，减缓了因年夜容量致使的机能降落问题。
是以，该产物不仅实现了高容量，并且机能也较以往的QLC产物年夜幅晋升。数据传输速率提高了一倍，写入机能至多晋升了56%，读取机能也晋升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，于需要低功耗的AI数据中央等范畴也具有了更强的竞争力。
公司规划起首于电脑端固态硬盘（PC SSD）上运用321层NAND闪存，随后慢慢扩大到面向数据中央的企业级固态硬盘（eSSD）及面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产物。此外，公司也将基在重叠32个NAND晶片的独占封装*技能，实现比现有超出跨越一倍的集成度，正式进入面向AI办事器的超高容量eSSD市场。
SK海力士NAND开发担任郑羽杓副社长暗示：“这次产物最先量产，年夜幅强化了高容量存储产物组合，同时确保了成本竞争力。为了应答迅速增加的AI需乞降数据中央市场的高机能要求，咱们将作为‘全方位面向AI的存储器供给商（Full Stack AI Memory Provider）’，实现更年夜的奔腾。”
* NAND闪存芯片按照每一个单位（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等差别规格。单位的信息存储容量越年夜，象征着单元面积内可贮存的数据越多。
* 平面（Plane）：是指可以于单一芯片内可以或许自力运行的单位及外围电路。将其从4个增长至6个，改善了数据处置惩罚机能（Data Bandwidth）之一的同时读取机能。
* 32DP（32 Die Package）：是指为了晋升芯片（Chip）容量，将32个Die（裸芯）封装于统一封装中的方式
-米兰milan